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FDMT80080DC
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Montage en surface
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMT80080DC
Code Commande2825183
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
4 699 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 3,590 € |
| 50+ | 3,000 € |
| 100+ | 2,600 € |
| 500+ | 2,420 € |
| 1500+ | 2,410 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMT80080DC
Code Commande2825183
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id254A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00135ohm
Type de boîtier de transistorDual Cool 88
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance156W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
FDMT80080DC is a N-channel dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET. It is produced using Fairchild semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. Application includes OringFET / Load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 80V (min, ID = 250μA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source leakage current is 100nA (max, VGS = ±20V, VDS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 3.1V (typ, VGS = VDS, ID = 250μA)
- Input capacitance is 14800pF (min, VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 1.8ohm (typ, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 67ns (typ, VDD = 40V, ID = 36A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Dual Cool™ package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
254A
Type de boîtier de transistor
Dual Cool 88
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
156W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00135ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
PowerTrench Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits