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FDMT80080DC
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Montage en surface
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMT80080DC
Code Commande2825183
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
5 164 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 3,670 € |
| 50+ | 2,970 € |
| 100+ | 2,520 € |
| 500+ | 2,400 € |
| 1500+ | 2,270 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMT80080DC
Code Commande2825183
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..80V
Courant de drain Id254A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00135ohm
Type de boîtier de transistorDual Cool 88
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance156W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitPowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
FDMT80080DC is a N-channel dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET. It is produced using Fairchild semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. Application includes OringFET / Load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 80V (min, ID = 250μA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source leakage current is 100nA (max, VGS = ±20V, VDS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 3.1V (typ, VGS = VDS, ID = 250μA)
- Input capacitance is 14800pF (min, VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 1.8ohm (typ, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 67ns (typ, VDD = 40V, ID = 36A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Dual Cool™ package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
254A
Type de boîtier de transistor
Dual Cool 88
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
156W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00135ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
PowerTrench Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits