Imprimer la page
FDG6301N
MOSFET double, Canal N, 25 V, 220 mA, 4 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 616 En Stock
3 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,256 € |
| 500+ | 0,193 € |
| 1500+ | 0,173 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
30,60 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDG6301N
Code Commande1471045RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N25V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N220mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N4ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSC-70
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P300mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The FDG6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signals MOSFETs.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (<gt/>6kV human body model)
- Compact industry standard surface-mount-package
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
25V
Courant de drain continu Id, Canal N
220mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
4ohm
Type de boîtier de transistor
SC-70
Dissipation de puissance Canal P
300mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits