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FDD4685
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,468 € |
| 500+ | 0,364 € |
| 1000+ | 0,325 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD4685
Code Commande1495263RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id32A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.027ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.6V
Dissipation de puissance69W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
32A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
69W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.027ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.6V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003