Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
55 880 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,606 € |
| 50+ | 0,398 € |
| 100+ | 0,288 € |
| 500+ | 0,218 € |
| 1500+ | 0,196 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,03 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC655BN
Code Commande2101405
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id6.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.9V
Dissipation de puissance800mW
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FDC655BN est un MOSFET, canal N, Simple, niveau logique, produit à l'aide du processus avancé PowerTrench®. Il a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état ON, tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Il est bien adapté aux applications basse tension et alimentées par batterie où une faible perte de puissance en ligne et une commutation rapide sont nécessaire.
- Commutation rapide
- Faible charge de grille
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(on) extrêmement faible
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6.3A
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
800mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.9V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC655BN
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000015