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FDC6303N
MOSFET double, Canal N, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,135 € |
| 9000+ | 0,130 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
405,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6303N
Code Commande2985478
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N25V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N680mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.45ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P900mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
25V
Courant de drain continu Id, Canal N
680mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.45ohm
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Dissipation de puissance Canal P
900mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :2.27
Traçabilité des produits