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100+ | 0,225 € |
500+ | 0,170 € |
1500+ | 0,147 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6301N..
Code Commande1700673RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N25V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N220mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N5ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P900mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.22A Continuous drain/output current
- 0.5A Pulsed drain/output current
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
25V
Courant de drain continu Id, Canal N
220mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
5ohm
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Dissipation de puissance Canal P
900mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000091
Traçabilité des produits