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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDA69N25
Code Commande2825145
Gamme de produitUniFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..250V
Courant de drain Id69A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.034ohm
Type de boîtier de transistorTO-3PN
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance480W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitUniFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
69A
Type de boîtier de transistor
TO-3PN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
480W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
250V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.034ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
UniFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007711
Traçabilité des produits