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DTA114EET1G
Transistor num./pré-polarisé bipolaire, Simple PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | 0,0376 € |
| 1000+ | 0,0271 € |
| 5000+ | 0,0228 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantDTA114EET1G
Code Commande2535582RL
Fiche technique
Polarité transistorSimple PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN-
Tension Collecteur Emetteur Max PNP50V
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R110kohm
Résistance Base-Emetteur R210kohm
Type de boîtier de transistorSC-75
Nbre de broches3 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance300mW
Température de fonctionnement max..150°C
Gain de courant DC hFE Min35hFE
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Simple PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
50V
Résistance base R1
10kohm
Type de boîtier de transistor
SC-75
Montage transistor
Montage en surface
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
-
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
10kohm
Nbre de broches
3 broches
Dissipation de puissance
300mW
Gain de courant DC hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000032
Traçabilité des produits