BS170
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Traversant
50 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,288 € |
| 10+ | 0,197 € |
| 100+ | 0,102 € |
| 500+ | 0,0924 € |
| 1000+ | 0,0795 € |
| 5000+ | 0,0775 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le BS170 est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal N produit en utilisant exclusivement la technologie de cellule haute densité CMOS. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant une performance de commutation robuste, fiable et rapide. Il est compatible avec la plupart des applications nécessitant jusqu'à 500mA DC. Il convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
- Commutateur à petits signaux contrôlé en tension
- Robuste et fiable
- Haute capacité de courant de saturation
Spécifications techniques
Canal N
500mA
TO-92
10V
830mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
1.2ohm
Traversant
2.1V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BS170
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit