Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 005 En Stock
2 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | 0,125 € |
50+ | 0,120 € |
100+ | 0,118 € |
500+ | 0,111 € |
1000+ | 0,109 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
0,62 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBS170-D75Z
Code Commande2453831
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id500mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON5ohm
Type de boîtier de transistorTO-226AA
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.1V
Dissipation de puissance830mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BS170_D75Z est un transistor FET, canal N, produit en utilisant une haute densité de cellules et la technologie DMOS. Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant une performance de commutation rapide fiable et robuste. Il est compatible avec la plupart des applications nécessitant jusqu'à 500mA DC. Il convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (ON)
- Commutateur à petits signaux contrôlé en tension
- Robuste et fiable
- Haute capacité de courant de saturation
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
500mA
Type de boîtier de transistor
TO-226AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
830mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BS170-D75Z
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000713
Traçabilité des produits