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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBAS16HT1G
Code Commande1459029
Gamme de produitBAS16
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive85V
Courant direct moyen200mA
Tension directe max1.25V
Temps de redressement en inverse6ns
Courant de surtension vers l'avant500mA
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de diodeSOD-323
Nombre de broches2Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitBAS16
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
La BAS16HT1G est une diode de commutation pour petit signal, conçue pour les applications de commutation haute vitesse.
- Tension inverse 100V continu
- Qualification AEC-Q101 et capacité PPAP
- Sans plomb, sans halogène, sans BFR
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
200mA
Temps de redressement en inverse
6ns
Température de fonctionnement max..
150°C
Nombre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
BAS16
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
85V
Tension directe max
1.25V
Courant de surtension vers l'avant
500mA
Type de boîtier de diode
SOD-323
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.08
Traçabilité des produits