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AFGY100T65SPD
IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Broche(s)
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| 5+ | 8,660 € |
| 10+ | 6,510 € |
| 50+ | 5,990 € |
| 100+ | 5,540 € |
| 250+ | 5,090 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantAFGY100T65SPD
Code Commande3588810
Fiche technique
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance660W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
100A
Dissipation de puissance
660W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits