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2SK932-23-TB-E
Transistor JFET, -15 V, 17 mA, -600 mV, SOT-23, 3 broches, 150 °C
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,515 € |
| 50+ | 0,377 € |
| 100+ | 0,188 € |
| 500+ | 0,184 € |
| 1500+ | 0,158 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2SK932-23-TB-E
Code Commande2774813
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.-15V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min10mA
Courant de drain de tension de Grille zéro max.17mA
Tension de coupure Source Grille max.-600mV
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..150°C
Type de transistorJFET
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
-15V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
17mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température de fonctionnement max..
150°C
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
10mA
Tension de coupure Source Grille max.
-600mV
Nbre de broches
3 broches
Type de transistor
JFET
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00007
Traçabilité des produits