2N7000-D26Z

Le 2N7000_D26Z est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal 60V N produit en utilisant exclusivement la technologie de cellule haute densité CMOS. Il est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Il peut être utilisés dans la plupart des applications nécessitant jusqu'à 400 mA en courant continu et peut fournir jusqu'à 2A en courant pulsé Ce produit convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.

• Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
• Commutateur à petits signaux contrôlé en tension
• Robuste et fiable
• Haute capacité de courant de saturation
• Tension Drain-Grille (VDGR) 60V
• Tension Source Grille continue (VGSS) ±20V
• Résistance thermique 312,5°C/W, jonction / air ambiant