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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant1N5402G
Code Commande2535557
Gamme de produit1N5402
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen3A
Configuration diodeUne
Tension directe max1V
Temps de redressement en inverse-
Courant de surtension vers l'avant200A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeAxial à broche
Nbre de broches2Broche(s)
Gamme de produit1N5402
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
La 1N5402G est une diode de redressement standard avec un boîtier en époxy moulé. Avec des broches axiales à souder Elle convient pour les alimentations et autres applications.
- La cathode est indiquée par une bande de polarité
- Courant élevé et petite taille
- Haute capacité en dépassement de courant
- Faible chute de tension directe
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Qualification
-
Courant direct moyen
3A
Tension directe max
1V
Courant de surtension vers l'avant
200A
Type de boîtier de diode
Axial à broche
Gamme de produit
1N5402
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour 1N5402G
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001134