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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant1N457
Code Commande1467558
Gamme de produit1N457
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive70V
Courant direct moyen200mA
Tension directe max1V
Temps de redressement en inverse-
Courant de surtension vers l'avant4A
Température d'utilisation Max.175°C
Type de boîtier de diodeDO-204AH
Nbre de broches2Broche(s)
Type de montage de diodeTraversant
Gamme de produit1N457
Qualification-
Aperçu du produit
La 1N457 est une diode petits signaux, haute conductance pour une utilisation générale et qui convient également à de nombreuses applications différentes.
- Faible fuite
- Dissipation de puissance 500mW
- Résistance thermique jonction/air ambiant de 300°C/W
- Capacité totale 8pF à 1MHz
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
200mA
Temps de redressement en inverse
-
Température d'utilisation Max.
175°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
1N457
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
70V
Tension directe max
1V
Courant de surtension vers l'avant
4A
Type de boîtier de diode
DO-204AH
Type de montage de diode
Traversant
Qualification
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 1N457
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000158
Traçabilité des produits