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G3VM-31BR
Relais MOSFET, SPST-NO (1 Forme A), AC / DC, 30 V, 5 A, DIP-6, Traversant
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantOMRON ELECTRONIC COMPONENTS
Réf. FabricantG3VM-31BR
Code Commande3234211
Gamme de produitG3VM-ER
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantOMRON ELECTRONIC COMPONENTS
Réf. FabricantG3VM-31BR
Code Commande3234211
Gamme de produitG3VM-ER
Fiche technique
Configuration des contactsSPST-NO
Forme de contactSPST-NO (1 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.30V
Courant, charge5A
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-6
Montage relaisTraversant
Bornes de relaisBroche PC
Courant, direct, If10mA
Résistance On State Max.0.04ohm
Tension, isolation2.5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitG3VM-ER
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration des contacts
SPST-NO
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
5A
Montage relais
Traversant
Courant, direct, If
10mA
Tension, isolation
2.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Forme de contact
SPST-NO (1 Forme A)
Tension de charge Max.
30V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-6
Bornes de relais
Broche PC
Résistance On State Max.
0.04ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
G3VM-ER
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001166