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MRFX1K80GNR5
Transistor FET RF, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 50+ | 724,820 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 50
Multiple: 50
36 246,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRFX1K80GNR5
Code Commande2985307RL
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds179V
Courant de drain Id-
Dissipation de puissance3.333kW
Fréquence d'utilisation Min.1.8MHz
Fréquence d'utilisation Max.400MHz
Type de boîtier de transistorOM-1230G
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.225°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
179V
Dissipation de puissance
3.333kW
Fréquence d'utilisation Max.
400MHz
Nbre de broches
4Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain Id
-
Fréquence d'utilisation Min.
1.8MHz
Type de boîtier de transistor
OM-1230G
Température d'utilisation Max.
225°C
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00025
Traçabilité des produits