Imprimer la page
MRFE6VP5600HR6
Transistor FET RF, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 150+ | 146,850 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 150
Multiple: 150
22 027,50 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRFE6VP5600HR6
Code Commande2985241
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds130V
Courant de drain Id-
Dissipation de puissance1.667kW
Fréquence d'utilisation Min.1.8MHz
Fréquence d'utilisation Max.600MHz
Type de boîtier de transistorNI-1230
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.225°C
Type de canalCanal N
Montage transistorBride
Gamme de produit-
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
MRFE6VP5600HR6 is a high ruggedness N channel enhancement mode lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
130V
Dissipation de puissance
1.667kW
Fréquence d'utilisation Max.
600MHz
Nbre de broches
4Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain Id
-
Fréquence d'utilisation Min.
1.8MHz
Type de boîtier de transistor
NI-1230
Température d'utilisation Max.
225°C
Montage transistor
Bride
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003