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PSMN8R9-100BSEJ
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,300 € |
| 10+ | 2,010 € |
| 100+ | 1,670 € |
| 500+ | 1,500 € |
| 1000+ | 1,380 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN8R9-100BSEJ
Code Commande3617857
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id75A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.008ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance296W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
75A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
296W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.008ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000004
Traçabilité des produits