Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
19 934 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 2,970 € |
10+ | 2,530 € |
100+ | 2,120 € |
500+ | 1,820 € |
1000+ | 1,690 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
2,97 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN4R8-100BSEJ
Code Commande2281226
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0041ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance405W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le PSMN4R8-100BSE est un MOSFET de niveau standard, canal N offrant un RDS (ON) très faible pour de faibles pertes de conduction. Le composant complète les derniers contrôleurs remplaçables à chaud, suffisamment robustes pour résister à des courants d'appel importants lors de la mise sous tension, tout en offrant une faible caractéristique RDS (ON) pour maintenir les températures basses et l'efficacité élevée en utilisation continue. Idéal pour les systèmes de télécommunication basés sur un fond de panier/rail d'alimentation 48V.
- Zone de travail sécurisée, polarisation directe améliorée pour un fonctionnement supérieur en mode linéaire
- Gamme de température de jonction de -55 à +175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
405W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0041ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour PSMN4R8-100BSEJ
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.031751
Traçabilité des produits