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PMV28ENEAR
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.4 A, 0.028 ohm, TO-263AB, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,354 € |
| 10+ | 0,281 € |
| 100+ | 0,184 € |
| 500+ | 0,138 € |
| 1000+ | 0,118 € |
| 5000+ | 0,101 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV28ENEAR
Code Commande3132379
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id4.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.028ohm
Type de boîtier de transistorTO-263AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance660mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4.4A
Type de boîtier de transistor
TO-263AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
660mW
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.028ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits