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PMPB55XNEAX
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,563 € |
| 50+ | 0,391 € |
| 100+ | 0,272 € |
| 500+ | 0,208 € |
| 1500+ | 0,175 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMPB55XNEAX
Code Commande3287984
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id3.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.055ohm
Type de boîtier de transistorDFN2020MD
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance1.95W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.8A
Type de boîtier de transistor
DFN2020MD
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.95W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.055ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000004
Traçabilité des produits