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NP100T12P2T3Z
Module IGBT, Inverseur trois phases, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNP100T12P2T3Z
Code Commande4410217
Fiche technique
Configuration IGBTInverseur trois phases
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.65V
Dissipation de puissance-
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTA souder Mâle
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Inverseur trois phases
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.65V
Température de fonctionnement max..
150°C
Borne IGBT
A souder Mâle
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
-
Courant Collecteur Continu
100A
Dissipation de puissance
-
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000037