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GAN111-650WSBQ
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Traversant
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | 8,900 € |
| 50+ | 7,560 € |
| 100+ | 7,230 € |
| 250+ | 6,890 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
94,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN111-650WSBQ
Code Commande4550980RL
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id21A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.114ohm
Charge de porte Typique4.9nC
Nombre de broches3Broche(s)
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.114ohm
Nombre de broches
3Broche(s)
Courant de drain Id
21A
Charge de porte Typique
4.9nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits