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GAN039-650NTBJ
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,730 € |
| 5+ | 11,020 € |
| 10+ | 10,300 € |
| 50+ | 10,290 € |
| 100+ | 9,320 € |
| 250+ | 9,130 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN039-650NTBJ
Code Commande4550979
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id58.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.039ohm
Charge de porte Typique26nC
Type de boîtier de transistorCCPAK1212i
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches12Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.039ohm
Type de boîtier de transistor
CCPAK1212i
Nombre de broches
12Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
58.5A
Charge de porte Typique
26nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits