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5000+ | 0,0351 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSS138BK,215
Code Commande2053833RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id360mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.6ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.1V
Dissipation de puissance350mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BSS138BK est un transistor à effet de champ (FET) canal N à mode d'enrichissement dans un boîtier plastique CMS à technologie Trench MOSFET.
- Compatible avec niveau logique
- Vitesse de commutation rapide
- Protection ESD jusqu'à 1.5kV
- Qualification AEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
360mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
350mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.6ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSS138BK,215
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000145