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500+ | 0,137 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSH201,215
Code Commande1758073
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id160mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON2.1ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.9V
Dissipation de puissance417mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BSH201 215 est un Transistor à effet de champ (FET) avec mode d'enrichissement, canal N et boîtier CMS plastique qui utilise la technologie D-MOS Convient aux applications hautes fréquences en raison des caractéristiques de commutation rapides.
- Compatible avec niveau logique
- Vitesse de commutation rapide
- Seuil de tension bas
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
160mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
417mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2.1ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.9V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000318
Traçabilité des produits