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BAV199W,115
Diode signaux faibles, Série double, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBAV199W,115
Code Commande8734615
Fiche technique
Configuration diodeSérie double
Tension inverse crête répétitive85V
Courant direct moyen110mA
Tension directe max1.25V
Temps de redressement en inverse3µs
Courant de surtension vers l'avant4A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSOT-323
Nbre de broches3Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
La BAV199W est une double diode de commutation épitaxiale à vitesse moyenne dans un petit boîtier cms en plastique SOT323(SC-70) Les diodes sont connectées en série. Il est utilisé pour les applications à faible courant de fuite dans les circuits montés en surface.
- Tension inverse 75V continu (Max.)
- Courant crête direct répétitif 500mA
- Faible courant inverse 3pA (typ.)
- Qualification AEC-Q101
Spécifications techniques
Configuration diode
Série double
Courant direct moyen
110mA
Temps de redressement en inverse
3µs
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension inverse crête répétitive
85V
Tension directe max
1.25V
Courant de surtension vers l'avant
4A
Type de boîtier de diode
SOT-323
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000045
Traçabilité des produits