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BAS321,115
Diode signaux faibles, Une, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
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| 500+ | 0,0327 € |
| 1500+ | 0,0287 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBAS321,115
Code Commande8734283
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive250V
Courant direct moyen250mA
Tension directe max1.25V
Temps de redressement en inverse50ns
Courant de surtension vers l'avant9A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSOD-323
Nbre de broches2Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
La BAS321 115 est une diode d'usage général fabriquée en technologie planaire, vitesse de commutation élevée et très faible capacité. Cette diode de commutation convient à des fins générales.
- Tension inverse continue 200V maximale
- Courant direct répétitif crête maximum de 625mA
- Puissance dissipée 300mW totale
- Capacité 2pF
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
250mA
Temps de redressement en inverse
50ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension inverse crête répétitive
250V
Tension directe max
1.25V
Courant de surtension vers l'avant
9A
Type de boîtier de diode
SOD-323
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000049