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FabricantMULTICOMP PRO
Réf. Fabricant2N7002T
Code Commande4655269RL
Gamme de produitMulticomp Pro MOSFET Transistros
Fiche technique
6 375 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
500+ | 0,0281 € |
1000+ | 0,0201 € |
5000+ | 0,0175 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantMULTICOMP PRO
Réf. Fabricant2N7002T
Code Commande4655269RL
Gamme de produitMulticomp Pro MOSFET Transistros
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id115mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON5ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance150mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMulticomp Pro MOSFET Transistros
MSLMSL 1 - Illimité
Aperçu du produit
The 2N7002T is an ultra-compact, high-speed N-channel MOSFET optimized for low-power switching applications in space-constrained designs. Encased in a miniature SOT-523 package, this device delivers robust performance with low gate threshold voltage, fast switching times, and low R DS(on), making it ideal for use in portable electronics, wearables, and compact embedded systems. Engineered for direct logic-level interfacing, the 2N7002T enables efficient control of loads such as LEDs, sensors, and small actuators using microcontrollers and logic ICs.
- Logic-Level Gate Drive (VGS(th) ~1–2.5V): Easily driven by 2.5V, 3.3V, or 5V logic signals; no level shifting needed
- Low On-Resistance R DS(on): Minimizes conduction losses for improved energy efficiency
- Fast Switching Speed: Suitable for high-speed digital circuits and PWM control
- Miniature SOT-523 Package: Ideal for space-constrained designs like wearables, mobile, and IoT devices
- Low Gate Charge (Q g): Reduces power required from control logic; efficient with MCUs or ASICs
- Wide Operating Temperature Range (-55°C to +150°C): Ensures stability and performance across harsh environmental conditions
- MSL 1 Rating: Unlimited floor life; no moisture precautions required before reflow soldering
- Meets global environmental and safety standards: RoHS Compliant
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5ohm
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Courant de drain Id
115mA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
150mW
Température d'utilisation Max.
150°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.107