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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1+ | 40,140 € |
5+ | 38,020 € |
10+ | 35,900 € |
50+ | 35,000 € |
100+ | 33,380 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 est un module SDRAM DDR4 haute vitesse qui utilise périphérique SDRAM DDR4 avec deux ou quatre groupes de banques de mémoire internes. Les modules DDR4 SDRAM utilisent des dispositifs DDR4 SDRAM de 4 et 8 bits de large et disposent de quatre groupes de banques internes composés de quatre banques de mémoire chacun, offrant un total de 16 banques. La SDRAM DDR4 16 bits de large, dispose de deux groupes de banques internes composés de quatre banques de mémoire chacune, offrant un total de huit banques. Le module DDR4 SDRAM bénéficie de l'utilisation d'une architecture de prélecture 8n de la DDR4 SDRAM avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge au niveau des broches d'E/S. Une seule opération de READ ou d' WRITE pour la SDRAM DDR4 consiste en un seul transfert de données de 8n-bits de large et de quatre cycles d'horloge au niveau du cœur DRAM interne et de huit transferts de données correspondants de n bits de large et d'un demi-cycle d'horloge au niveau des broches d'E/S. Le module DDR4 utilise deux ensembles de signaux différentiels: DQS-t et DQS-c pour capturer des données et CK-t et CK-c pour capturer des commandes, des adresses et des signaux de contrôle.
- Densité de module de 8Go, configuration 1 Go x 64, Bande passante du module 25,6Go/s
- Horloge mémoire/débit de données de 0,62ns/3 200 MT/s, 22-22-22 cycles d'horloge (CL-tRCD-tRP)
- Plage de tension d'alimentation VDD de 1,14 à 1,26V, plage d'alimentation d'activation DRAM de 2,375 à 2,75V
- Terminaison sur puce nominale et dynamique (ODT) pour signaux , de masque, sonde et données
- Rafraîchissement automatique, faible consommation (LPASR), inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données
- Génération et étalonnage VREFDQ sur puce, simple rangée, contacts à bord doré
- EEPROM de détection de présence série I²C (SPD) intégrée, 16 banques internes, 4 groupes de 4 banques chacun
- Hachage rafale fixe (BC) de 4 et longueur de rafale (BL) de 8 via le jeu de registres mode (MRS)
- Topologie Fly-by, bus de contrôle, de commande et d'adresse terminés
- Boîtier DIMM 260 broches, plage de température commercial de 0°C à 95°C
Spécifications techniques
8GB
PC4-3200
SODIMM pour ordinateur portable
1.14V
1.2V
95°C
No SVHC (17-Dec-2015)
1MHz
DDR4 SDRAM SO-DIMM 260 broches
1G x 64 bits
1.26V
0°C
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Namibia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit