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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1+ | 22,480 € |
5+ | 21,320 € |
10+ | 20,150 € |
50+ | 19,660 € |
100+ | 19,270 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le MTA4ATF51264HZ-3G2R1 est un module SDRAM DDR4 haute vitesse qui utilise un périphérique SDRAM DDR4 avec deux ou quatre groupes de banques de mémoire internes. Les modules DDR4 SDRAM utilisent des dispositifs DDR4 SDRAM de 4 et 8 bits de large et disposent de quatre groupes de banques internes composés de quatre banques de mémoire chacun, offrant un total de 16 banques. La SDRAM DDR4 16 bits de large, dispose de deux groupes de banques internes composés de quatre banques de mémoire chacune, offrant un total de huit banques. Le module DDR4 SDRAM bénéficie de l'utilisation d'une architecture de prélecture 8n de la DDR4 SDRAM avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge au niveau des broches d'E/S. Une seule opération de READ ou d' WRITE pour la SDRAM DDR4 consiste en un seul transfert de données de 8n-bits de large et de quatre cycles d'horloge au niveau du cœur DRAM interne et de huit transferts de données correspondants de n bits de large et d'un demi-cycle d'horloge au niveau des broches d'E/S. Le module DDR4 utilise deux ensembles de signaux différentiels: DQS_t et DQS_c pour capturer des données et CK_t et CK_c pour capturer des commandes, des adresses et des signaux de contrôle.
- Densité de module 4Go, configuration 512Mo x 64, bande passante du module de 25,6Go/s
- Horloge mémoire/débit de données de 0,62ns/3 200 MT/s, cycles d'horloge 22-22-22 (CL-tRCD-tRP)
- Terminaison sur puce nominale et dynamique (ODT) pour signaux , de masque, sonde et données
- Rafraîchissement automatique, faible consommation, inversion du bus de données pour le bus de données, commande de contrôle terminée/bus d'adresse
- Génération et étalonnage VREFDQ sur puce, topologie à un seul rang et fly-by
- EEPROM de détection de présence série I²C (SPD) intégrée, 8 banques internes, 2 groupes de 4 banques chacun
- Hachage rafale fixe de 4 et longueur de rafale de 8 via le jeu de registres de mode (MRS), contacts à bord doré
- Boîtier DIMM 260 broches
- Gamme de température commerciale de 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C
Spécifications techniques
4GB
PC4-3200
SODIMM pour ordinateur portable
1.14V
1.2V
95°C
No SVHC (17-Dec-2015)
1MHz
DDR4 SDRAM SO-DIMM 260 broches
512M x 64 bits
1.26V
0°C
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Namibia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit