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MTA4ATF51264HZ-3G2J1
Module mémoire RAM, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, DDR4 SDRAM SO-DIMM 260 broches
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMTA4ATF51264HZ-3G2J1
Code Commande3775030
Fiche technique
Densité de mémoire4GB
Vitesse de mémoire1MHz
Mémoire du ModulePC4-3200
Facteur de forme moduleDDR4 SDRAM SO-DIMM 260 broches
Application de mémoireSODIMM pour ordinateur portable
Configuration mémoire512M x 64 bits
Tension, alimentation min.1.14V
Tension d'alimentation Max.1.26V
Tension d'alimentation nominale1.2V
Température d'utilisation min0°C
Température d'utilisation Max.95°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
Densité de mémoire
4GB
Mémoire du Module
PC4-3200
Application de mémoire
SODIMM pour ordinateur portable
Tension, alimentation min.
1.14V
Tension d'alimentation nominale
1.2V
Température d'utilisation Max.
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Vitesse de mémoire
1MHz
Facteur de forme module
DDR4 SDRAM SO-DIMM 260 broches
Configuration mémoire
512M x 64 bits
Tension d'alimentation Max.
1.26V
Température d'utilisation min
0°C
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009072