MT53E256M32D2FW-046 AAT:B

La MT53E256M32D2FW-046 AAT:B est une SDRAM DDR4 mobile basse consommation de 4Go avec faible VDDQ. Il s'agit d'une mémoire vive dynamique CMOS haute vitesse. Cette mémoire est configurée en interne avec des E/S x16, 8 banques. Chacune des banques de 536 870 912 bits du x16 est organisée en 32 768 lignes sur 1024 colonnes sur 16 bits. Il a dirigé l'actualisation par banque pour le fonctionnement simultané des banques et la facilité de planification des commandes. Cette mémoire dispose d'un capteur de température intégré pour contrôler le taux d'auto-rafraîchissement. Il a une capacité d'arrêt d'horloge.

• Tension d'utilisation de 1,10V (VDD2)/0,60V ou 1,10V (VDDQ)
• Configuration 256Meg x 32, LPDDR4, Adressage 2die, Design B
• Boîtier TFBGA 200 billes, 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 CMS)
• Le temps de cycle est de 468ps à RL = 36/40, auto-rafraîchissement de tableau partiel (PASR)
• Température d'utilisation de -40°C à +105°C, Qualification automobile
• La fréquence d'horloge est de 2133MHz, le débit de données par broche est de 4266Mo/s
• Noyau ultra-basse tension et alimentations d'E/S
• Architecture DDR 16n prefetch, 8 banques internes par canal pour un fonctionnement simultané
• Entrée CMD/ADR à débit de données unique, stroboscope de données bidirectionnel/différentiel par voie d'octets
• Latences de lecture et d'écriture programmables (RL/WL), puissance de sortie sélectionnable (DS)