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MT53D512M16D1DS-046 WT:D
DRAM, LPDDR4, 8 Mbit, 512M x 16 bits, 2,133GHz, WFBGA, 200 broches
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,060 € |
| 10+ | 8,410 € |
| 25+ | 8,020 € |
| 50+ | 7,830 € |
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53D512M16D1DS-046 WT:D
Code Commande4128274
Fiche technique
Type DRAMMobile LPDDR4
Densité de mémoire8Gbit
Configuration mémoire512M x 16bits
Fréquence, horloge max..2.133GHz
IC Boîtier/PaquetWFBGA
Nombre de broches200Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.1V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-25°C
Température de fonctionnement max..85°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
- DRAM
- Data rate is 4266Mbps, density is 8Gb
- Width is x16
- Operating temperature range from -40 to +95°C
Spécifications techniques
Type DRAM
Mobile LPDDR4
Configuration mémoire
512M x 16bits
IC Boîtier/Paquet
WFBGA
Tension d'alimentation nominale
1.1V
Température d'utilisation min
-25°C
Gamme de produit
-
Densité de mémoire
8Gbit
Fréquence, horloge max..
2.133GHz
Nombre de broches
200Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température de fonctionnement max..
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001