MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

La MT29F4G01ABAFDWB-IT:F est une mémoire flash NAND. Il s'agit d'un dispositif de mémoire flash SLC NAND qui fournit une solution de stockage de mémoire non volatile rentable où le nombre de broches doit être réduit au minimum. C'est également une solution alternative aux SPI NOR, offrant des performances d'écriture et un coût par bit supérieurs aux SPI NOR. L'interface matérielle crée un composant faible nombre de broches avec un brochage standard qui reste le même d'une densité à l'autre et prend en charge les futures mises à niveau vers des densités plus élevées sans reconception de la carte. L'interface électrique série suit l'interface périphérique série standard de l'industrie. De nouveaux protocoles et registres de commande sont définis pour le fonctionnement SPI. Le jeu de commandes ressemble aux jeux de commandes SPI-NOR courants, modifiés pour gérer les fonctions spécifiques NAND et de nouvelles fonctionnalités supplémentaires.

• Technologie de cellule à un seul niveau (SLC)
• L'ECC interne est activé par défaut, l'ECC interne sélectionnable par l'utilisateur est pris en charge, 8 bits/secteur
• Mode cache de page de lecture (×2, ×4, double, quadruple, aléatoire), ID unique de lecture, page de paramètres de lecture
• Initialisation de l'appareil: initialisation automatique de l'appareil après la mise sous tension
• Endurance: 100 000 cycles de PROGRAMMATION/EFFACEMENT, conservation des données: Conforme à la norme JESD47H
• Conservation des données non cyclées: 10 ans 24/7 à 85°C
• Densité de 4Go
• Large plage de tension d'utilisation 3,3V (2,7–3.6V)
• Boîtier U-PDFN, 8 broches, (8mm x 6mm x 0.65mm)
• Plage de température Industrielle de -40°C à +85°C