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TP2104K1-G
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
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| 25+ | 0,658 € |
| 100+ | 0,581 € |
| 3000+ | 0,569 € |
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantTP2104K1-G
Code Commande2851586
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id160mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON6ohm
Type de boîtier de transistorTO-236AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance360mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
160mA
Type de boîtier de transistor
TO-236AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
360mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits