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TN5335K1-G
MOSFET de puissance, DMOS, Canal N, 350 V, 110 mA, 15 ohm, TO-236AB, Montage en surface
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantTN5335K1-G
Code Commande2920707
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds350V
Courant de drain Id110mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON15ohm
Type de boîtier de transistorTO-236AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance360mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
110mA
Type de boîtier de transistor
TO-236AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
360mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
350V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
15ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits