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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantTN2106N3-G
Code Commande2857806
Gamme de produitTN2106
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id500mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON2.5ohm
Type de boîtier de transistorTO-92
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.4V
Dissipation de puissance740mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTN2106
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
500mA
Type de boîtier de transistor
TO-92
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
740mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2.5ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TN2106
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0002
Traçabilité des produits