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LSIC1MO120E0120
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 27 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantLSIC1MO120E0120
Code Commande2889732
Gamme de produitLSIC1MO120
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 450+ | 9,360 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 450
Multiple: 450
4 212,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantLSIC1MO120E0120
Code Commande2889732
Gamme de produitLSIC1MO120
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id27A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.12ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance139W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitLSIC1MO120
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
27A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.12ohm
Nbre de broches
3Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Température d'utilisation Max.
150°C
MSL
-
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
139W
Gamme de produit
LSIC1MO120
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits