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IXTY1R6N50D2.
MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-252
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,660 € |
| 10+ | 3,240 € |
| 25+ | 2,820 € |
| 50+ | 2,410 € |
| 100+ | 2,000 € |
| 500+ | 1,980 € |
| 1000+ | 1,710 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTY1R6N50D2.
Code Commande3771280
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..500V
Courant de drain Id1.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2.3ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)0V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance100W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
1.6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
0V
Dissipation de puissance
100W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2.3ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000531