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IXTP08N50D2
MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,960 € |
| 25+ | 2,210 € |
| 100+ | 1,480 € |
| 250+ | 1,380 € |
| 500+ | 1,290 € |
| 1000+ | 1,230 € |
| 2500+ | 1,160 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTP08N50D2
Code Commande3771267
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..500V
Courant de drain Id800mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON4.6ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorThrough Hole
Tension de test Rds(on)0V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance60W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
800mA
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
0V
Dissipation de puissance
60W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4.6ohm
Montage transistor
Through Hole
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002794
Traçabilité des produits