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IXTN200N10L2
MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTN200N10L2
Code Commande3771792
Gamme de produitLinearL2 Series
Fiche technique
58 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 47,460 € |
| 5+ | 41,650 € |
| 10+ | 35,840 € |
| 25+ | 35,130 € |
| 50+ | 34,410 € |
| 100+ | 33,700 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTN200N10L2
Code Commande3771792
Gamme de produitLinearL2 Series
Fiche technique
Type de canalN Channel
Courant de drain Id178A
Tension Vds max..100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.011ohm
Tension de test Rds(on)10V
Type de boîtier de transistorSOT-227
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Montage transistorModule
Dissipation de puissance830W
Température de fonctionnement max..150°C
Nombre de broches4Broche(s)
Qualification-
Gamme de produitLinearL2 Series
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Tension Vds max..
100V
Tension de test Rds(on)
10V
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Dissipation de puissance
830W
Nombre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
LinearL2 Series
Courant de drain Id
178A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.011ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-227
Montage transistor
Module
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.023587