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IXFN520N075T2
MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN520N075T2
Code Commande3771785
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
270 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 33,420 € |
| 5+ | 29,070 € |
| 10+ | 24,720 € |
| 25+ | 23,260 € |
| 100+ | 21,810 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN520N075T2
Code Commande3771785
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
Type de canalN Channel
Courant de drain Id480A
Tension Vds max..75V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0015ohm
Type de boîtier de transistorSOT-227
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Montage transistorModule
Dissipation de puissance940W
Température de fonctionnement max..175°C
Nombre de broches4Broche(s)
Qualification-
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Tension Vds max..
75V
Type de boîtier de transistor
SOT-227
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
940W
Nombre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Courant de drain Id
480A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0015ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Montage transistor
Module
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.044725
Traçabilité des produits