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IXTP14N60X2
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Traversant
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP14N60X2
Code Commande3576945
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id14A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.25ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance180W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
14A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
180W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.25ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits