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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTN102N65X2
Code Commande2674786
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id76A
Tension Vds max..650V
Résistance Rds(on)0.03ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance Pd595W
Dissipation de puissance595W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
76A
Résistance Rds(on)
0.03ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
595W
Température de fonctionnement max..
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Polarité transistor
Canal N
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
595W
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03
Traçabilité des produits