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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN360N10T
Code Commande2784061
Gamme de produitTrench HiperFET
Fiche technique
390 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 25,990 € |
5+ | 22,500 € |
10+ | 19,010 € |
50+ | 18,530 € |
100+ | 18,040 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
25,99 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN360N10T
Code Commande2784061
Gamme de produitTrench HiperFET
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Courant de drain Id360A
Tension Vds max..100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0026ohm
Résistance Rds(on)0.0026ohm
Tension de test Rds(on)100V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance830W
Dissipation de puissance Pd830W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
360A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0026ohm
Tension de test Rds(on)
100V
Dissipation de puissance
830W
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
100V
Résistance Rds(on)
0.0026ohm
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Dissipation de puissance Pd
830W
Gamme de produit
Trench HiperFET
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03