Imprimer la page
IXFN180N15P
Transistor MOSFET, Canal N, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
304 En Stock
600 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
.
.
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 25,340 € |
| 5+ | 21,940 € |
| 10+ | 18,540 € |
| 50+ | 18,360 € |
| 100+ | 18,170 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
25,34 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN180N15P
Code Commande1427321
Fiche technique
Type de canalCanal N
Courant de drain Id150A
Tension Drain-Source Vds150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.011ohm
Tension de test Rds(on)10V
Type de boîtier de transistorISOTOP
Montage transistorModule
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance680W
Température d'utilisation Max.175°C
Nbre de broches4Broche(s)
Gamme de produit-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
150V
Tension de test Rds(on)
10V
Montage transistor
Module
Dissipation de puissance
680W
Nbre de broches
4Broche(s)
MSL
-
Courant de drain Id
150A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.011ohm
Type de boîtier de transistor
ISOTOP
Tension de seuil Vgs Max
5V
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.040823